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Nanoscale selective plasma etching of ultrathin HfO2 layers for advanced complementary metal-oxide-semiconductor devicesmore_vert
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Nanoscale selective plasma etching of ultrathin HfO2 layers for advanced complementary metal-oxide-semiconductor devices

tipo de documento Publicacion

...

Autores: Álvaro, Raquel, Tejedor Jorge, Paloma, Anguita, José, Benedicto Córdoba, Marcos, Galiana Blanco, Beatriz

Etiquetas: icp-rie, lithogaphy, high-k, nanotecnología, litografía, nanotechnology, transistores, transistors, afm, iii-v

Publicado en: revista: japanese journal of applied physics, periodo: 12, volumen: 49, número: 49, página inicial: 165041, página final: 165043

Fecha publicación: 20/10/2010

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