Nanoscale selective plasma etching of ultrathin HfO2 layers for advanced complementary metal-oxide-semiconductor devices
tipo de documento semantico ckh_publication
Ficheros
Nanoscale Selective Plasma Etching of Ultrathin HfO2 layers for Advanced Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Devices (JJAP).pdf
Tamaño
284710
Formato
Adobe PDF
Url del contenido
https://repositorio.comillas.edu/rest/bitstreams/28711/retrieve
Fecha de publicación
20/10/2010
Autor
Anguita, José
Benedicto Córdoba, Marcos
Álvaro, Raquel
Galiana Blanco, Beatriz
Tejedor Jorge, Paloma
Fuente
Revista: Japanese Journal of Applied Physics, Periodo: 12, Volumen: 49, Número: 49, Página inicial: 165041, Página final: 165043
Estado
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
Resumen
Idioma
es-ES
Resumen
Presentamos un proceso de grabado en seco fiable para la fabricación de nanoestructuras profundas en capas ultrafinas (16 nm) de HfO2 depositadas sobre substratos de GaAs.
Idioma
en-GB
Resumen
We present a reliable dry-etch process for patterning deep-submicron structures in utra-thin (16 nm) HfO2 layers deposited on GaAs substrates.
Uri identificador
http://hdl.handle.net/11531/12061
Palabras clave
Idioma
es-ES
Tag
Nanotecnología
Idioma
es-ES
Tag
high-k
Idioma
es-ES
Tag
III-V
Idioma
es-ES
Tag
ICP-RIE
Idioma
es-ES
Tag
AFM
Idioma
es-ES
Tag
litografía
Idioma
es-ES
Tag
transistores
Idioma
en-GB
Tag
Nanotechnology
Idioma
en-GB
Tag
high-k
Idioma
en-GB
Tag
III-V
Idioma
en-GB
Tag
ICP-RIE
Idioma
en-GB
Tag
AFM
Idioma
en-GB
Tag
lithogaphy
Idioma
en-GB
Tag
transistors
Tipo de archivo
application/pdf
Idioma
en-GB
Tipo de acceso
info:eu-repo/semantics/restrictedAccess
Fecha de modificacion
12/12/2016
Fecha de disponibilidad
31/08/2016
fecha de alta
31/08/2016
