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Nanostructuring of ultra-thin HfO2 layers for high-k/III-V device application

Nanostructuring of ultra-thin HfO2 layers for high-k/III-V device application

Nanostructuring of ultra-thin HfO2 layers for high-k/III-V device application

tipo de documento Publicacion

Autores: Álvaro, Raquel, Tejedor Jorge, Paloma, Anguita, José, Molina Aldereguia, Jon, Benedicto Córdoba, Marcos, Galiana Blanco, Beatriz

Etiquetas: sem, high-k, mosfet, nanotecnología, nanotechnology, transistores, eds, rie, transistors, ebl, tem, iii-v, afm

Publicado en: revista: journal of nanoscience and nanotechnology, periodo: 12, volumen: 11, número: 11, página inicial: 1, página final: 5

Fecha publicación: 22/03/2011

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