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Structural investigation of MOVPE-grown GaAs on Ge by x-ray techniques

Structural investigation of MOVPE-grown GaAs on Ge by x-ray techniques

Structural investigation of MOVPE-grown GaAs on Ge by x-ray techniques

tipo de documento Publicacion

Autores: Bennet, N.S., Wong, C.S., Molina Aldereguia, Jon, Benedicto Córdoba, Marcos, Mcnally, P.J., Galiana Blanco, Beatriz

Etiquetas: ge, xrt sincrotron, xrd, movpe, xrt synchrotron, nanotecnología, nanotechnology, gaas, afm

Publicado en: revista: semiconductor science and technology, periodo: 12, volumen: 27, número: 27, página inicial: 1150121, página final: 1150127

Fecha publicación: 04/10/2012

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