FiltrosAplicados

QuitarFiltros

Honen arabera ordenatuta:

Fecha publicación desc Ascendente
Fecha publicación desc Descendente
Título asc Ascendente
Título asc Descendente
Título desc Ascendente
Título desc Descendente

Búsqueda

rss
rdf

1 emaitzak

Nanostructuring of ultra-thin HfO2 layers for high-k/III-V device application

Nanostructuring of ultra-thin HfO2 layers for high-k/III-V device application

Nanostructuring of ultra-thin HfO2 layers for high-k/III-V device application

tipo de documento Publicacion

Autores: Álvaro, Raquel, Tejedor Jorge, Paloma, Anguita, José, Molina Aldereguia, Jon, Benedicto Córdoba, Marcos, Galiana Blanco, Beatriz

Etiquetas: sem, high-k, mosfet, nanotecnología, nanotechnology, transistores, eds, rie, transistors, ebl, tem, iii-v, afm

Publicado en: revista: journal of nanoscience and nanotechnology, periodo: 12, volumen: 11, número: 11, página inicial: 1, página final: 5

Fecha publicación: 22/03/2011

Con tecnología
© Universidad Pontificia Comillas 2026
Pribatutasuna
GNOSS erabiltzeko baldintzak
Cookien politika

E

Komunitatepublikoa

Close

Menú

Comunidades

Filtrar