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Modified energetic and growth kinetics on H-terminated GaAs (110

Modified energetic and growth kinetics on H-terminated GaAs (110

Modified energetic and growth kinetics on H-terminated GaAs (110

tipo de documento Publicacion

Autores: Teichert, C., Benedicto Córdoba, Marcos, Lorbek, S., Diez Merino, Laura, Hlawacek, G., Galiana Blanco, Beatriz

Etiquetas: ffm, transistor, crecimiento, growth, simulación, nanotecnología, nanotechnology, gaas, simulation, mbe, afm

Publicado en: revista: journal of chemical physics, periodo: 12, volumen: 139, número: 139, página inicial: 164712-1, página final: 164712-7

Fecha publicación: 29/10/2013

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