Autores: Tejedor Jorge, Paloma, Molina Aldereguia, Jon, Vázquez Burgos, Luís, Benedicto Córdoba, Marcos, Galiana Blanco, Beatriz
Etiquetas: recocido, hfo2, high-k, transistor, nanotecnología, nanotechnology, eds, patterns, gaas, patrones, afm, iii-v, tem, annealing
Publicado en: revista: nanoscale, periodo: 12, volumen: 4, número: 4, página inicial: 3734, página final: 3738
Fecha publicación: 26/04/2012