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Fabrication of HfO2 patterns by laser interference nanolithography and selective dry etching for III-V CMOS applicationmore_vert
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Fabrication of HfO2 patterns by laser interference nanolithography and selective dry etching for III-V CMOS application

tipo de documento Publicacion

...

Autores: Tejedor Jorge, Paloma, Cherkaoui, K., Molina Aldereguia, Jon, Vázquez Burgos, Luís, Benedicto Córdoba, Marcos, Monaghan, S., Hurley, P.K., Galiana Blanco, Beatriz

Etiquetas: hrsem, high-k, linl, hfo2, tem. eds, nanotecnología, transistor, nanotechnology, rie, gaas, afm, iii-v

Publicado en: revista: nanoscale research letters, periodo: 12, volumen: 6, número: 6, página inicial: 400, página final: 400

Fecha publicación: 31/05/2011

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