Nanostructuring of ultra-thin HfO2 layers for high-k/III-V device application
tipo de documento semantico ckh_publication
Ficheros
Nanoestructuracion of ultr-thin HfO2 layer for high-kIII-V device application(JNN).pdf
Tamaño
468580
Formato
Adobe PDF
Url del contenido
https://repositorio.comillas.edu/rest/bitstreams/28712/retrieve
Fecha de publicación
22/03/2011
Autor
Benedicto Córdoba, Marcos
Anguita, José
Álvaro, Raquel
Galiana Blanco, Beatriz
Molina Aldereguia, Jon
Tejedor Jorge, Paloma
Fuente
Revista: Journal of Nanoscience and Nanotechnology, Periodo: 12, Volumen: 11, Número: 11, Página inicial: 1, Página final: 5
Estado
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
Resumen
Idioma
es-ES
Resumen
Se presenta la nanoestructuración mediante litografía por haz de electrones (EBL) y el grabado por iones reactivos (RIE) con un plasma SF6/Ar+ de películas de HfO2 ultra-delgadas depositadas sobre sustratos de GaAs (001) para su aplicación como óxido de puerta para transistores III-V.-metal-óxido-semiconductor de efecto de campo de última generación (MOSFET).
Idioma
en-GB
Resumen
We report on the nanopatterning by electron beam lithography (EBL) and reactive ion etching (RIE) in a SF6/Ar+ plasma of ultra-thin HfO2 films deposited on GaAs (001) substrates for gate oxide application in next generation III V metal-oxide-semiconductor field effect transistors (MOSFETs).
Uri identificador
http://hdl.handle.net/11531/12062
Palabras clave
Idioma
es-ES
Tag
Nanotecnología
Idioma
es-ES
Tag
high-k
Idioma
es-ES
Tag
III-V
Idioma
es-ES
Tag
EBL
Idioma
es-ES
Tag
RIE
Idioma
es-ES
Tag
AFM
Idioma
es-ES
Tag
SEM
Idioma
es-ES
Tag
TEM
Idioma
es-ES
Tag
EDS
Idioma
es-ES
Tag
MOSFET
Idioma
es-ES
Tag
transistores
Idioma
en-GB
Tag
Nanotechnology
Idioma
en-GB
Tag
high-k
Idioma
en-GB
Tag
III-V
Idioma
en-GB
Tag
EBL
Idioma
en-GB
Tag
RIE
Idioma
en-GB
Tag
AFM
Idioma
en-GB
Tag
SEM
Idioma
en-GB
Tag
TEM
Idioma
en-GB
Tag
EDS
Idioma
en-GB
Tag
MOSFET
Idioma
en-GB
Tag
transistors
Tipo de archivo
application/pdf
Idioma
en-GB
Tipo de acceso
info:eu-repo/semantics/restrictedAccess
Fecha de modificacion
12/12/2016
Fecha de disponibilidad
31/08/2016
fecha de alta
31/08/2016
