Multi-technique characterization of MOVPE-grown GaAs on Si
tipo de documento semantico ckh_publication
Ficheros
Multi-Technical characterization of MOVPE-grown GaAs on Si (ME).pdf
Tamaño
960078
Formato
Adobe PDF
Url del contenido
https://repositorio.comillas.edu/rest/bitstreams/28716/retrieve
Fecha de publicación
08/10/2010
Autor
Wong, C.S.
Bennet, N.S.
McNally, P.J.
Galiana Blanco, Beatriz
Tejedor Jorge, Paloma
Benedicto Córdoba, Marcos
Molina Aldereguia, Jon
Monaghan, S.
Hurley, P.K.
Cherkaoui, K.
Fuente
Revista: Microelectronic Engineering, Periodo: 12, Volumen: 88, Número: 88, Página inicial: 472, Página final: 475
Estado
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
Resumen
Idioma
es-ES
Resumen
Este es un trabajo de caracterización mediante múltiples técnicas con el objeto investigar las propiedades de las capas de GaAs crecidas por MOVPE sobre sustratos de Si - (100) con un offset de 4 hacia <1 1 0> bajo diferentes condiciones de crecimiento.
Idioma
en-GB
Resumen
In this work multi-technique characterisation is used to investigate properties of GaAs layers grown by Metal Organic Vapour Phase Epitaxy (MOVPE) on Si substrates (100) with 4 offset towards <1 1 0> under various growth conditions.
Uri identificador
http://hdl.handle.net/11531/12066
Palabras clave
Tipo de archivo
application/pdf
Idioma
en-GB
Tipo de acceso
info:eu-repo/semantics/restrictedAccess
Fecha de modificacion
12/12/2016
Fecha de disponibilidad
31/08/2016
fecha de alta
31/08/2016
