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Structural improvement of SiGe films by C and F implantation and solid phase crystallization

Structural improvement of SiGe films by C and F implantation and solid phase crystallization

Structural improvement of SiGe films by C and F implantation and solid phase crystallization

tipo de documento Publicacion

Autores: Castro Ponce, Mario, Rodríguez Rodríguez, Tomás, Rodríguez Domínguez, Andrés, Olivares Roza, Jimena, Sangrador García, Jesús, Gwilliam, Russell M., Ballesteros Pérez, Carmen Inés

Etiquetas: sige, lpcvd, ion implantation, solid phase crystallization, silicon ion-implantation, thin film transistors

Publicado en: revista: thin solid films, periodo: 1, volumen: 383, número: 1-2, página inicial: 113, página final: 116

Fecha publicación: 01/02/2001

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