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Autores: Tejedor Jorge, Paloma, Molina Aldereguia, Jon, Vázquez Burgos, Luís, Benedicto Córdoba, Marcos, Galiana Blanco, Beatriz

Etiquetas: recocido, hfo2, high-k, transistor, nanotecnología, nanotechnology, eds, patterns, gaas, patrones, afm, iii-v, tem, annealing

Publicado en: revista: nanoscale, periodo: 12, volumen: 4, número: 4, página inicial: 3734, página final: 3738

Fecha publicación: 26/04/2012

Autores: Tejedor Jorge, Paloma, Cherkaoui, K., Molina Aldereguia, Jon, Vázquez Burgos, Luís, Benedicto Córdoba, Marcos, Monaghan, S., Hurley, P.K., Galiana Blanco, Beatriz

Etiquetas: hrsem, high-k, linl, hfo2, tem. eds, nanotecnología, transistor, nanotechnology, rie, gaas, afm, iii-v

Publicado en: revista: nanoscale research letters, periodo: 12, volumen: 6, número: 6, página inicial: 400, página final: 400

Fecha publicación: 31/05/2011

Autores: Álvaro, Raquel, Tejedor Jorge, Paloma, Anguita, José, Molina Aldereguia, Jon, Benedicto Córdoba, Marcos, Galiana Blanco, Beatriz

Etiquetas: sem, high-k, mosfet, nanotecnología, nanotechnology, transistores, eds, rie, transistors, ebl, tem, iii-v, afm

Publicado en: revista: journal of nanoscience and nanotechnology, periodo: 12, volumen: 11, número: 11, página inicial: 1, página final: 5

Fecha publicación: 22/03/2011

Autores: Álvaro, Raquel, Tejedor Jorge, Paloma, Anguita, José, Benedicto Córdoba, Marcos, Galiana Blanco, Beatriz

Etiquetas: icp-rie, lithogaphy, high-k, nanotecnología, litografía, nanotechnology, transistores, transistors, afm, iii-v

Publicado en: revista: japanese journal of applied physics, periodo: 12, volumen: 49, número: 49, página inicial: 165041, página final: 165043

Fecha publicación: 20/10/2010