Modified energetic and growth kinetics on H-terminated GaAs (110
tipo de documento semantico ckh_publication
Ficheros
Modified energetics and growth kinetics on H-terminated GaAs (110) (JCP).pdf
Tamaño
1041656
Formato
Adobe PDF
Url del contenido
https://repositorio.comillas.edu/rest/bitstreams/28725/retrieve
Fecha de publicación
29/10/2013
Autor
Galiana Blanco, Beatriz
Benedicto Córdoba, Marcos
Diez Merino, Laura
Lorbek, S.
Hlawacek, G.
Teichert, C.
Fuente
Revista: Journal of Chemical Physics, Periodo: 12, Volumen: 139, Número: 139, Página inicial: 164712-1, Página final: 164712-7
Estado
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
Resumen
Idioma
es-ES
Resumen
La modificación, a través de hidrógeno atómico, de la energía de superficie de epicapas de GaAs (110) crecidas a altas temperaturas con haces moleculares de Ga y As4, ha sido investigado por fuerza de fricción microscopía (FFM).
Idioma
en-GB
Resumen
Atomic hydrogen modification of the surface energy of GaAs (110) epilayers, grown at high temperatures from molecular beams of Ga and As4, has been investigated by friction force microscopy (FFM).
Uri identificador
http://hdl.handle.net/11531/12075
Palabras clave
Idioma
es-ES
Tag
Nanotecnología
Idioma
es-ES
Tag
GaAs
Idioma
es-ES
Tag
MBE
Idioma
es-ES
Tag
crecimiento
Idioma
es-ES
Tag
AFM
Idioma
es-ES
Tag
FFM
Idioma
es-ES
Tag
simulación
Idioma
es-ES
Tag
transistor
Idioma
en-GB
Tag
Nanotechnology
Idioma
en-GB
Tag
GaAs
Idioma
en-GB
Tag
MBE
Idioma
en-GB
Tag
growth
Idioma
en-GB
Tag
AFM
Idioma
en-GB
Tag
FFM
Idioma
en-GB
Tag
simulation
Idioma
en-GB
Tag
transistor
Tipo de archivo
application/pdf
Idioma
en-GB
Tipo de acceso
info:eu-repo/semantics/restrictedAccess
Fecha de modificacion
12/12/2016
Fecha de disponibilidad
31/08/2016
fecha de alta
31/08/2016
