PublicadoEl 23/11/22 por Comillas
Artículo

Fabrication of HfO2 patterns by laser interference nanolithography and selective dry etching for III-V CMOS application

tipo de documento semantico ckh_publication

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Fabrication of HfO2 pattern by laser interference nanolithography and selective dry etching for III-V CMOS applications (NRL).pdf
Tamaño 1120620
Formato Adobe PDF
Fecha de publicación 31/05/2011
Autor
Benedicto Córdoba, Marcos
Galiana Blanco, Beatriz
Molina Aldereguia, Jon
Monaghan, S.
Hurley, P.K.
Cherkaoui, K.
Vázquez Burgos, Luís
Tejedor Jorge, Paloma
Fuente Revista: Nanoscale Research Letters, Periodo: 12, Volumen: 6, Número: 6, Página inicial: 400, Página final: 400
Estado info:eu-repo/semantics/publishedVersion

Resumen

Idioma es-ES
Resumen

Se describe la nanoestructuración de películas ultrafinas de HfO2 depositadas sobre sustratos de GaAs (001) por nanolitografía por interferencia láser de alta resolución de Lloyd. La transferencia del patrón a la película HfO2 se llevó a cabo mediante grabado por haz de iones reactivos utilizando plasmas de CF4 y O2.

Idioma en-GB
Resumen

Nanostructuring of ultrathin HfO2 films deposited on GaAs (001) substrates by high-resolution Lloyd s mirror laser interference nanolithography is described. Pattern transfer to the HfO2 film was carried out by reactive ion beam etching using CF4 and O2 plasmas.

Palabras clave

Tipo de archivo application/pdf
Idioma en-GB
Tipo de acceso info:eu-repo/semantics/openAccess
Licencia http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/es/
Fecha de modificacion 12/12/2016
Fecha de disponibilidad 31/08/2016
fecha de alta 31/08/2016

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